高爐常用的氮化硅結合碳化硅磚，是由粉狀硅（Si）和SiC混合成型的坯體，在氮化爐中于1300~1350℃的氮氣氣氛下加熱而制得。Si和N2反應生成氮化硅形成極堅固的結合物，將SiC顆粒結合起來，通過化學反應3Si+2N2→Si3N4達到燒結。反應生成的Si3N4與SiC顆粒緊密結合而形成以Si3N4為結合相的碳化硅制品。氮化硅結合碳化硅磚在高爐爐身下部使用效果較好，下表是氮化硅結合碳化硅磚的理化指標

碳磚是以碳質材料為原料，加入適量結合劑制成的耐高溫中性耐火材料制品。碳質原料包括無煙煤、焦炭和石墨，以瀝青、焦油和蒽油為結合劑。無煙煤的揮發(fā)分少，結構致密，生產碳磚時多以它為骨料，加入冶金焦炭，以瀝青做結合劑。由于碳易氧化，因此無論是原料的煅燒或是制品的焙燒以及制品的使用，均要在還原氣氛中進行。

根據(jù)高爐成渣帶（爐腰、爐腹、爐身下部）磚襯的破損機理和各種材料的性能特點，選用半石墨化的高溫電煅燒無煙煤和碳化硅等主要原料，加入適量的添加劑和結合劑，高壓成型，高溫燒成，經研磨加工成半石墨化碳—碳化硅磚。它具有優(yōu)良的導熱性、抗堿性、抗氧化性以及抗鐵水滲透性能，其平均氣孔直徑在1μm以下。